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J-GLOBAL ID:201802238077974067   整理番号:18A1383638

急峻傾斜FETデバイスのためのCMOS互換低電力揮発性原子スイッチ【JST・京大機械翻訳】

CMOS compatible low-power volatile atomic switch for steep-slope FET devices
著者 (6件):
Lim Seokjae
(Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH), 77 Cheongam-ro, Nam-gu, Pohang 37673, South Korea)
Yoo Jongmyung
(Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH), 77 Cheongam-ro, Nam-gu, Pohang 37673, South Korea)
Song Jeonghwan
(Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH), 77 Cheongam-ro, Nam-gu, Pohang 37673, South Korea)
Woo Jiyong
(School of Electrical, Computer and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, Arizona 85281, USA)
Park Jaehyuk
(Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH), 77 Cheongam-ro, Nam-gu, Pohang 37673, South Korea)
Hwang Hyunsang
(Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH), 77 Cheongam-ro, Nam-gu, Pohang 37673, South Korea)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 113  号:ページ: 033501-033501-4  発行年: 2018年 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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