文献
J-GLOBAL ID:201802238553065352
整理番号:18A1676767
ナノスケール記憶デバイスと不揮発性単極二重スロットスイッチのための集中RFモデル【JST・京大機械翻訳】
A Lumped RF Model for Nanoscale Memristive Devices and Nonvolatile Single-Pole Double-Throw Switches
著者 (2件):
Wainstein Nicolas
(Andrew and Erna Viterbi Faculty of Electrical Engineering, Technion-Israel Institute of Technology, Haifa, Israel)
,
Kvatinsky Shahar
(Andrew and Erna Viterbi Faculty of Electrical Engineering, Technion-Israel Institute of Technology, Haifa, Israel)
資料名:
IEEE Transactions on Nanotechnology
(IEEE Transactions on Nanotechnology)
巻:
17
号:
5
ページ:
873-883
発行年:
2018年
JST資料番号:
W1355A
ISSN:
1536-125X
CODEN:
ITNECU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)