文献
J-GLOBAL ID:201802238701024301
整理番号:18A0912220
水素化物気相エピタキシー法により成長させた無炭素ドリフト層を用いた垂直型GaN系PNダイオードのマクロステップ誘起電流不均一性の解消
Elimination of macrostep-induced current flow nonuniformity in vertical GaN PN diode using carbon-free drift layer grown by hydride vapor phase epitaxy
著者 (8件):
FUJIKURA Hajime
(SCIOCS Co., Ltd., Ibaraki, JPN)
,
HAYASHI Kentaro
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
,
HORIKIRI Fumimasa
(SCIOCS Co., Ltd., Ibaraki, JPN)
,
NARITA Yoshinobu
(SCIOCS Co., Ltd., Ibaraki, JPN)
,
KONNO Taichiro
(SCIOCS Co., Ltd., Ibaraki, JPN)
,
YOSHIDA Takehiro
(SCIOCS Co., Ltd., Ibaraki, JPN)
,
OHTA Hiroshi
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
,
MISHIMA Tomoyoshi
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
資料名:
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻:
11
号:
4
ページ:
045502.1-045502.4
発行年:
2018年04月
JST資料番号:
F0599C
ISSN:
1882-0778
CODEN:
APEPC4
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)