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文献
J-GLOBAL ID：201802238783546728
整理番号：18A0844852
0.18μm SiGe BiCMOS技術に基づく50Gb/s高感度(9.2dBm)低電力(7.9pJ/ビット)光受信機【JST・京大機械翻訳】
A 50-Gb/s High-Sensitivity (-9.2 dBm) Low-Power (7.9 pJ/bit) Optical Receiver Based on 0.18- $¥mu$ m SiGe BiCMOS Technology
Takemoto Takashi
(Center for Exploratory Research, Research and Development Group, Hitachi, Ltd., Tokyo, Japan)
,
Matsuoka Yasunobu
(Center for Technology Innovation-Electronics, Research and Development Group, Hitachi, Ltd., Tokyo, Japan)
,
Yamashita Hiroki
(Center for Technology Innovation-Electronics, Research and Development Group, Hitachi, Ltd., Tokyo, Japan)
,
Lee Yong
(Center for Technology Innovation-Electronics, Research and Development Group, Hitachi, Ltd., Tokyo, Japan)
,
Arimoto Hideo
(Center for Technology Innovation-Electronics, Research and Development Group, Hitachi, Ltd., Tokyo, Japan)
,
Kokubo Masaru
(Center for Technology Innovation-Electronics, Research and Development Group, Hitachi, Ltd., Tokyo, Japan)
,
Ido Tatemi
(Center for Technology Innovation-Electronics, Research and Development Group, Hitachi, Ltd., Tokyo, Japan)
資料名：
IEEE Journal of Solid-State Circuits
(IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻： 53 号： 5 ページ： 1518-1538 発行年： 2018年
JST資料番号： B0761A ISSN： 0018-9200 CODEN： IJSCBC 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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