文献
J-GLOBAL ID:201802239306550838
整理番号:18A0160119
HfO_2~をベースとした強誘電体電界効果トランジスタの耐久性問題の研究:電荷捕獲とトラップ発生【Powered by NICT】
A Study of Endurance Issues in HfO2-Based Ferroelectric Field Effect Transistors: Charge Trapping and Trap Generation
著者 (2件):
Gong Nanbo
(Electrical Engineering Department, Yale University, New Haven, CT, USA)
,
Ma Tso-Ping
(Electrical Engineering Department, Yale University, New Haven, CT, USA)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
39
号:
1
ページ:
15-18
発行年:
2018年
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)