文献
J-GLOBAL ID:201802239414636185
整理番号:18A1700741
Al2O3の非電荷表面モデルを用いたオーバラップゲートMOSFETシミュレーションの水素終端ダイヤモンド界面
Hydrogen Terminated Diamond Interface Properties of Overlapping Gate MOSFET Simulation Using Non-charge Surface Model with Al2O3
著者 (3件):
MOHAMMED Alhasani Reem
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
YABE T.
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
KAWARADA H.
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
資料名:
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)
(Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻:
79th
ページ:
ROMBUNNO.21p-232-12
発行年:
2018年09月05日
JST資料番号:
Y0055B
ISSN:
2758-4704
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)