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J-GLOBAL ID：201802239541845496 整理番号：18A2043354

国の技術的基礎で得られたTiN/Hf_0.5Zr_0.5O_2/TiN/SiO_2/SiおよびTiN/Hf_xAl_1-xO_y/Pt/SiO_2/Si試験構造におけるHfO_xに基づく不揮発性メモリの有望な材料とデバイスパラメータの達成【JST・京大機械翻訳】

Promising Materials of Nonvolatile Memory Based on HfOx and Achievement of Device Parameters in the TiN/Hf_0.5Zr_0.5O₂/ TiN/SiO₂/Si and TiN/Hf_XAl_1-XO_Y/Pt/SiO₂/Si Test Structures Obtained on the National Technological Basis

著者 (1件)：

Orlov Oleg M.

(NIIME(SC Research Institute of Molecular Electronics), research department; 1-st Western Passage, 12/1, Moscow, Zelenograd, Russian Federation, 124460)

資料名：

Defect and Diffusion Forum (Defect and Diffusion Forum)

巻： 386 ページ： 172-177 発行年： 2018年
JST資料番号： D0958B ISSN： 1012-0386 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：スイス (CHE) 言語：英語 (EN)

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