文献
J-GLOBAL ID:201802239566300483
整理番号:18A2026932
高密度メモリ応用のための共有ダイオードを持つ面積効率の良いマルチレベルセルSOT-MRAM【JST・京大機械翻訳】
Area Efficient Multi Level Cell SOT-MRAM with Shared Diode for High Density Memories Applications.
著者 (4件):
Ahmed K. A.
(NVM, Data Storage Institute, Singapore)
,
Fei L.
(NVM, Data Storage Institute, Singapore)
,
Lua S. Y.
(NVM, Data Storage Institute, Singapore)
,
Heng C.
(ECE, National University of Singapore, Singapore)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2018
号:
INTERMAG
ページ:
1-2
発行年:
2018年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)