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文献
J-GLOBAL ID：201802239651651371
整理番号：18A0968161
非バルク抵抗変化を示すNドープCr_2Ge_2Te_6相変化材料を用いた接触抵抗変化メモリ【JST・京大機械翻訳】
Contact resistance change memory using N-doped Cr2Ge2Te6 phase-change material showing non-bulk resistance change
Shuang Y.
(Department of Materials Science, Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-11, Aoba-yama, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan)
,
Sutou Y.
(Department of Materials Science, Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-11, Aoba-yama, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan)
,
Hatayama S.
(Department of Materials Science, Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-11, Aoba-yama, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan)
,
Shindo S.
(Department of Materials Science, Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-11, Aoba-yama, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan)
,
Song Y. H.
(Department of Electronic Engineering, Hanyang University, 17 Haengdang-dong, Seongdong-gu, Seoul 133-791, South Korea)
,
Ando D.
(Department of Materials Science, Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-11, Aoba-yama, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan)
,
Koike J.
(Department of Materials Science, Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-11, Aoba-yama, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 112 号： 18 ページ： 183504-183504-5 発行年： 2018年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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