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文献
J-GLOBAL ID：201802239870250327
整理番号：18A1151084
ESD研究に対するSiC MOSFETのロバスト性:電気的およびスペクトル的光放出特性化の間の相関【JST・京大機械翻訳】
SiC MOSFET robustness to ESD study: Correlation between electrical and spectral photo-emission characterizations
Moultif Niemat
(Normandy University, University of Rouen, Groupe Physique des Mate ́riaux, UMR CNRS 6634, Site de Madrillet, Avenue de l’Universite ́ - B.P 12. St Etienne de Rouvray 76801 France)
,
Joubert Eric
(Normandy University, University of Rouen, Groupe Physique des Mate ́riaux, UMR CNRS 6634, Site de Madrillet, Avenue de l’Universite ́ - B.P 12. St Etienne de Rouvray 76801 France)
,
Latry Olivier
(Normandy University, University of Rouen, Groupe Physique des Mate ́riaux, UMR CNRS 6634, Site de Madrillet, Avenue de l’Universite ́ - B.P 12. St Etienne de Rouvray 76801 France)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018 号： MELECON ページ： 260-264 発行年： 2018年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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