文献
J-GLOBAL ID:201802239894984679
整理番号:18A2042195
4H-SiCエピタキシャル層のホットフィラメントCVD成長【JST・京大機械翻訳】
Hot Filament CVD Growth of 4H-SiC Epitaxial Layers
著者 (3件):
van Zeghbroeck Bart
(University of Colorado at Boulder, Department of ECEE; Boulder, USA, 425 UCB)
,
Robinson Hannah
(BASIC 3C; USA)
,
Brow Ryan R.
(University of Colorado at Boulder, Department of ECEE; Boulder, USA, 425 UCB)
資料名:
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻:
924
ページ:
120-123
発行年:
2018年
JST資料番号:
D0716B
ISSN:
0255-5476
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)