文献
J-GLOBAL ID:201802239922212377
整理番号:18A0466547
Si(100)-2×1表面上のGeの超薄膜【Powered by NICT】
Ultrathin films of Ge on the Si(100)2 × 1 surface
著者 (3件):
Kamaratos M.
(Department of Physics, University of Ioannina, PO Box 1186, 451 10, Ioannina, Epirus, Greece)
,
Sotiropoulos A.K.
(Department of Physics, University of Ioannina, PO Box 1186, 451 10, Ioannina, Epirus, Greece)
,
Vlachos D.
(Department of Physics, University of Ioannina, PO Box 1186, 451 10, Ioannina, Epirus, Greece)
資料名:
Surface and Interface Analysis
(Surface and Interface Analysis)
巻:
50
号:
2
ページ:
198-204
発行年:
2018年
JST資料番号:
E0709A
ISSN:
0142-2421
CODEN:
SIANDQ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)