文献
J-GLOBAL ID:201802240015924714
整理番号:18A0613050
410nmでのNOのフェムト秒光電子イメージング【Powered by NICT】
Femtosecond photoelectron imaging of NO at 410 nm
著者 (4件):
Guo Wei
(School of Electrical Engineering, University of South China, Hengyang 421001, China)
,
Guo Wei
(State Key Laboratory of Molecular Reaction Dynamics, Dalian Institute of Chemical Physics, Dalian 116023, China)
,
Wang Yi
(School of Electrical Engineering, University of South China, Hengyang 421001, China)
,
Li Yuehua
(School of Electrical Engineering, University of South China, Hengyang 421001, China)
資料名:
Optik
(Optik)
巻:
161
ページ:
151-155
発行年:
2018年
JST資料番号:
D0251A
ISSN:
0030-4026
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)