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文献
J-GLOBAL ID：201802240125705047
整理番号：18A1593003
疲労荷重下の単結晶シリコンにおける亜臨界欠陥蓄積の電子イメージング【JST・京大機械翻訳】
Electronic imaging of subcritical defect accumulation in single crystal silicon under fatigue loading
Kamiya Shoji
(Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, Japan)
,
Kongo Akira
(Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, Japan)
,
Sugiyama Hiroko
(Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, Japan)
,
Izumi Hayato
(Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, Japan)
資料名：
Sensors and Actuators. A. Physical
(Sensors and Actuators. A. Physical)
巻： 279 ページ： 705-711 発行年： 2018年
JST資料番号： B0345C ISSN： 0924-4247 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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