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文献
J-GLOBAL ID：201802240310987811
整理番号：18A0265850
二重ゲート(DG)p n i n TFETのドレイン電流モデル:運転の反転領域への蓄積【Powered by NICT】
Drain Current Model for Double Gate (DG) p-n-i-n TFET: Accumulation to Inversion Region of Operation
Upasana
(Semiconductor Device Research Laboratory, Department of Electronic Science, University of Delhi South Campus, New Delhi 110021, India)
,
Narang Rakhi
(Department of Electronics, Sri Venkateswara College, University of Delhi, New Delhi 110021, India)
,
Saxena Manoj
(Department of Electronics, Deen Dayal Upadhyaya College, University of Delhi, New Delhi 110078, India)
,
Gupta Mridula
(Semiconductor Device Research Laboratory, Department of Electronic Science, University of Delhi South Campus, New Delhi 110021, India)
資料名：
Superlattices and Microstructures
(Superlattices and Microstructures)
巻： 104 ページ： 78-92 発行年： 2017年
JST資料番号： D0600B ISSN： 0749-6036 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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