文献
J-GLOBAL ID:201802240318406415
整理番号:18A0125619
HEM法による高融解セスキオキシド結晶成長中の界面形状の制御【Powered by NICT】
Control of interface shape during high melting sesquioxide crystal growth by HEM technique
著者 (3件):
Hu Kaiwei
(School of Aerospace Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, China)
,
Zheng Lili
(School of Aerospace Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, China)
,
Zhang Hui
(Department of Engineering Physics, Tsinghua University, Beijing 100084, China)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
483
ページ:
175-182
発行年:
2018年
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)