文献
J-GLOBAL ID:201802240406539178
整理番号:18A0968535
単層HfS_2およびSnS_2におけるバンド端状態,固有欠陥およびドーパント【JST・京大機械翻訳】
Band edge states, intrinsic defects, and dopants in monolayer HfS2 and SnS2
著者 (3件):
Lu Haichang
(Department of Engineering, Cambridge University, Cambridge CB2 1PZ, United Kingdom)
,
Guo Yuzheng
(College of Engineering, Swansea University, Swansea SA1 8EN, United Kingdom)
,
Robertson John
(Department of Engineering, Cambridge University, Cambridge CB2 1PZ, United Kingdom)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
112
号:
6
ページ:
062105-062105-5
発行年:
2018年
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)