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文献
J-GLOBAL ID：201802240586808501
整理番号：18A1790638
走査型静電容量力顕微鏡による炭化ケイ素二重拡散MOSFETのナノスケール研究
Nanoscale investigation of the silicon carbide double-diffused MOSFET with scanning capacitance force microscopy
NAKAJIMA Mizuki
(Chiba Inst. of Technol., Chiba, JPN)
,
UCHIDA Yuki
(Chiba Inst. of Technol., Chiba, JPN)
,
SATOH Nobuo
(Chiba Inst. of Technol., Chiba, JPN)
,
YAMAMOTO Hidekazu
(Chiba Inst. of Technol., Chiba, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57 号： 8S1 ページ： 08NB09.1-08NB09.6 発行年： 2018年08月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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