文献
J-GLOBAL ID:201802240820963765
整理番号:18A0423466
負の電子親和力の光電陰極のためのIn_0In0.53Ga_0Ga0.47As(100)β_2(2 × 4)表面におけるZnドーピング:第一原理研究【Powered by NICT】
Zn doping in the In0.53Ga0.47As(100)β2(2 × 4) surface for negative electron affinity photocathode: A first-principles research
著者 (5件):
Guo Jing
(School of Automation, Nanjing Institute of Technology, Nanjing 211167, China)
,
Long Li
(School of Automation, Nanjing Institute of Technology, Nanjing 211167, China)
,
Yang Mingzhu
(School of Physics and Optoelectronic Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing 210044, China)
,
Zhao Jing
(School of Automation, Nanjing Institute of Technology, Nanjing 211167, China)
,
Zhou Lei
(School of Automation, Nanjing Institute of Technology, Nanjing 211167, China)
資料名:
Optik
(Optik)
巻:
158
ページ:
355-362
発行年:
2018年
JST資料番号:
D0251A
ISSN:
0030-4026
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)