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文献
J-GLOBAL ID：201802240820963765
整理番号：18A0423466
負の電子親和力の光電陰極のためのIn_0In0.53Ga_0Ga0.47As(100)β_2(2 × 4)表面におけるZnドーピング:第一原理研究【Powered by NICT】
Zn doping in the In0.53Ga0.47As(100)β2(2 × 4) surface for negative electron affinity photocathode: A first-principles research
Guo Jing
(School of Automation, Nanjing Institute of Technology, Nanjing 211167, China)
,
Long Li
(School of Automation, Nanjing Institute of Technology, Nanjing 211167, China)
,
Yang Mingzhu
(School of Physics and Optoelectronic Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing 210044, China)
,
Zhao Jing
(School of Automation, Nanjing Institute of Technology, Nanjing 211167, China)
,
Zhou Lei
(School of Automation, Nanjing Institute of Technology, Nanjing 211167, China)
資料名：
Optik
(Optik)
巻： 158 ページ： 355-362 発行年： 2018年
JST資料番号： D0251A ISSN： 0030-4026 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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