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文献
J-GLOBAL ID：201802240922208147
整理番号：18A0623874
開発されたチャネルを有する信頼性の高いナノ-SOI・における電場の適切な静電変調【Powered by NICT】
Proper Electrostatic Modulation of Electric Field in a Reliable Nano-SOI With a Developed Channel
Anvarifard Mohammad Kazem
(Department of Engineering Sciences, Faculty of Technology and Engineering, East of Guilan, University of Guilan, Rasht, Iran)
,
Orouji Ali Asghar
(Department of Electrical and Computer Engineering, Semnan University, Semnan, Iran)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 65 号： 4 ページ： 1653-1657 発行年： 2018年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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