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文献
J-GLOBAL ID：201802241019091857
整理番号：18A0446872
GeSn/Ge CVDエピタキシャル成長と最適選択エッチングによるSi上のI_on=1850μA/μm(V_ov=V_ds= 1V)の最初の垂直に積層したGeSnナノワイヤpGAAFETs【Powered by NICT】
First vertically stacked GeSn nanowire pGAAFETs with Ion = 1850μA/μm (Vov = Vds = -1V) on Si by GeSn/Ge CVD epitaxial growth and optimum selective etching
Huang Yu-Shiang
(Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University, Taipei, Taiwan)
,
Lu Fang-Liang
(Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University, Taipei, Taiwan)
,
Tsou Ya-Jui
(Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University, Taipei, Taiwan)
,
Tsai Chung-En
(Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University, Taipei, Taiwan)
,
Lin Chung-Yi
(Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University, Taipei, Taiwan)
,
Huang Chih-Hao
(Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University, Taipei, Taiwan)
,
Liu C. W.
(Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University, Taipei, Taiwan)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： IEDM ページ： 37.5.1-37.5.4 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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