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文献
J-GLOBAL ID：201802241095186611
整理番号：18A1334316
中間温度成長GaN層を用いた発光ダイオードの性能に及ぼすInGaN/GaN超格子の効果の分離
Separation of effects of InGaN/GaN superlattice on performance of light-emitting diodes using mid-temperature-grown GaN layer
SUGIMOTO Kohei
(UBE Ind., Ltd., Yamaguchi, JPN)
,
OKADA Narihito
(Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN)
,
KURAI Satoshi
(Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN)
,
YAMADA Yoichi
(Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN)
,
TADATOMO Kazuyuki
(Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57 号： 6 ページ： 062101.1-062101.5 発行年： 2018年06月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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