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文献
J-GLOBAL ID：201802241141871550
整理番号：18A0995119
CMOSウエハ貯蔵中のアルミニウムボンドパッド上の結晶欠陥形成と欠陥除去のためのプロセス戦略【JST・京大機械翻訳】
Crystalline defect formation on aluminum bond pads during CMOS wafer storage and process strategies for defect elimination
Pani Santosh Kumar
(GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte Ltd., 60 Woodlands Industrial Park D, Street 2, Singapore 738406)
,
Hogan Royston Hugh
(GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte Ltd., 60 Woodlands Industrial Park D, Street 2, Singapore 738406)
,
Pandurangan Madhavan
(GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte Ltd., 60 Woodlands Industrial Park D, Street 2, Singapore 738406)
,
Nistala Ramesh Rao
(GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte Ltd., 60 Woodlands Industrial Park D, Street 2, Singapore 738406)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 36 号： 3 ページ： 031202-031202-6 発行年： 2018年
JST資料番号： E0974A ISSN： 2166-2746 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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