文献
J-GLOBAL ID:201802241406916929
整理番号:18A0995551
電気化学的水素発生のためのMoS_2単分子層ナノシートの基底面の遷移金属原子ドーピング【JST・京大機械翻訳】
Transition metal atom doping of the basal plane of MoS2 monolayer nanosheets for electrochemical hydrogen evolution
著者 (11件):
Lau Thomas H. M.
(Department of Chemistry, University of Oxford, Oxford, OX1 3QR, UK. Edman.tsang@chem.ox.ac.uk)
,
Lu XiaoWei
,
Kulhavy Jiri
,
Wu Simson
,
Lu Lilin
,
Wu Tai-Sing
,
Kato Ryuichi
,
Foord John S.
,
Soo Yun-Liang
,
Suenaga Kazu
,
Tsang Shik Chi Edman
資料名:
Chemical Science (Web)
(Chemical Science (Web))
巻:
9
号:
21
ページ:
4769-4776
発行年:
2018年
JST資料番号:
U7042A
ISSN:
2041-6539
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)