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文献
J-GLOBAL ID：201802241442134563
整理番号：18A0401929
フローティングゲートMOSトランジスタの制御ゲートとして用いたフォトダイオードの解析と測定【Powered by NICT】
Analysis and measurement of a photo diode used as a control gate in a floating-gate MOS transistor
Dominguez-Sanchez Sergio
(Electrical Engineering Department, CINVESTAV-IPN, Av. IPN No. 2508, Col. San Pedro Zacatenco, Mexico, D.F., 07360, Mexico)
,
Reyes-Barranca Mario Alfredo
(Electrical Engineering Department, CINVESTAV-IPN, Av. IPN No. 2508, Col. San Pedro Zacatenco, Mexico, D.F., 07360, Mexico)
,
Mendoza-Acevedo Salvador
(Department of Material Science and Engineering, University of Texas Dallas, 800 W. Campbell Rd., Richarson, TX 75080, USA)
,
Flores-Nava Luis Martin
(Electrical Engineering Department, CINVESTAV-IPN, Av. IPN No. 2508, Col. San Pedro Zacatenco, Mexico, D.F., 07360, Mexico)
資料名：
Sensors and Actuators. A. Physical
(Sensors and Actuators. A. Physical)
巻： 267 ページ： 210-234 発行年： 2017年
JST資料番号： B0345C ISSN： 0924-4247 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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