文献
J-GLOBAL ID:201802241516467224
整理番号:18A1682566
非晶質シリコン堆積とアニーリングの組合せによるGe/Siナノ構造の増強された光応答【JST・京大機械翻訳】
Enhanced photoresponse of Ge/Si nanostructures by combining amorphous silicon deposition and annealing
著者 (6件):
Podolian A.
(Department of Physics, Taras Shevchenko Kyiv National University, Kyiv 01601, Ukraine)
,
Nadtochiy A.
(Department of Physics, Taras Shevchenko Kyiv National University, Kyiv 01601, Ukraine)
,
Korotchenkov O.
(Department of Physics, Taras Shevchenko Kyiv National University, Kyiv 01601, Ukraine)
,
Romanyuk B.
(V. Lashkarev Institute of Semiconductor Physics NAS of Ukraine, Kyiv 03028, Ukraine)
,
Melnik V.
(V. Lashkarev Institute of Semiconductor Physics NAS of Ukraine, Kyiv 03028, Ukraine)
,
Popov V.
(V. Lashkarev Institute of Semiconductor Physics NAS of Ukraine, Kyiv 03028, Ukraine)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
124
号:
9
ページ:
095703-095703-7
発行年:
2018年
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)