文献
J-GLOBAL ID:201802241683428022
整理番号:18A1767522
平面アンチモン:h-BNと水素化SiC(0001)の理想的不活性基板【JST・京大機械翻訳】
Ideal inert substrates for planar antimonene: h-BN and hydrogenated SiC(0001)
著者 (5件):
Zhang Shuai
(School of Physics, State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Shandanan Str. 27, Jinan 250100, China. yandong.ma@sdu.edu.cn daiy60@sina.com)
,
Ma Yandong
,
Peng Rui
,
Huang Baibiao
,
Dai Ying
資料名:
Physical Chemistry Chemical Physics
(Physical Chemistry Chemical Physics)
巻:
20
号:
36
ページ:
23397-23402
発行年:
2018年
JST資料番号:
A0271C
ISSN:
1463-9076
CODEN:
PPCPFQ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)