前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201802241844050473
整理番号：18A2029285
EUV,特殊構造体および3RD生成単一拡散ブレークによる最小FinFETおよび最小SRAMセルを特徴とする真の7nmプラットフォーム技術【JST・京大機械翻訳】
True 7nm Platform Technology featuring Smallest FinFET and Smallest SRAM cell by EUV, Special Constructs and 3rd Generation Single Diffusion Break
Jeong WC
(Semiconductor R&D Center, Hwasung-City, Gyeonggi-Do, 445-701, Republic of Korea)
,
Maeda S.
(Semiconductor R&D Center, Hwasung-City, Gyeonggi-Do, 445-701, Republic of Korea)
,
Lee HJ
(Semiconductor R&D Center, Hwasung-City, Gyeonggi-Do, 445-701, Republic of Korea)
,
Lee KW
(Semiconductor R&D Center, Hwasung-City, Gyeonggi-Do, 445-701, Republic of Korea)
,
Lee TJ
(Semiconductor R&D Center, Hwasung-City, Gyeonggi-Do, 445-701, Republic of Korea)
,
Park DW
(Semiconductor R&D Center, Hwasung-City, Gyeonggi-Do, 445-701, Republic of Korea)
,
Kim BS
(Semiconductor R&D Center, Hwasung-City, Gyeonggi-Do, 445-701, Republic of Korea)
,
Do JH
(Foundry Business, Samsung Electronics, San#16, Banweol-Dong, Hwasung-City, Gyeonggi-Do, 445-701, Republic of Korea)
,
Fukai T
(Semiconductor R&D Center, Hwasung-City, Gyeonggi-Do, 445-701, Republic of Korea)
,
Kwon DJ
(Semiconductor R&D Center, Hwasung-City, Gyeonggi-Do, 445-701, Republic of Korea)
,
Nam KJ
(Semiconductor R&D Center, Hwasung-City, Gyeonggi-Do, 445-701, Republic of Korea)
,
Rim WJ
(Foundry Business, Samsung Electronics, San#16, Banweol-Dong, Hwasung-City, Gyeonggi-Do, 445-701, Republic of Korea)
,
Jang MS
(Foundry Business, Samsung Electronics, San#16, Banweol-Dong, Hwasung-City, Gyeonggi-Do, 445-701, Republic of Korea)
,
Kim HT
(Foundry Business, Samsung Electronics, San#16, Banweol-Dong, Hwasung-City, Gyeonggi-Do, 445-701, Republic of Korea)
,
Lee YW
(Foundry Business, Samsung Electronics, San#16, Banweol-Dong, Hwasung-City, Gyeonggi-Do, 445-701, Republic of Korea)
,
Park JS
(Semiconductor R&D Center, Hwasung-City, Gyeonggi-Do, 445-701, Republic of Korea)
,
Lee EC
(Foundry Business, Samsung Electronics, San#16, Banweol-Dong, Hwasung-City, Gyeonggi-Do, 445-701, Republic of Korea)
,
Ha DW
(Semiconductor R&D Center, Hwasung-City, Gyeonggi-Do, 445-701, Republic of Korea)
,
Park C.H.
(Semiconductor R&D Center, Hwasung-City, Gyeonggi-Do, 445-701, Republic of Korea)
,
Cho H.-J.
(Semiconductor R&D Center, Hwasung-City, Gyeonggi-Do, 445-701, Republic of Korea)
,
Jung S.-M.
(Semiconductor R&D Center, Hwasung-City, Gyeonggi-Do, 445-701, Republic of Korea)
,
Kang H.K.
(Semiconductor R&D Center, Hwasung-City, Gyeonggi-Do, 445-701, Republic of Korea)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018 号： VLSI Technology ページ： 59-60 発行年： 2018年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。