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文献
J-GLOBAL ID：201802242163122031
整理番号：18A0532448
超高電圧SiC電力デバイスの現状と展望【Powered by NICT】
Current status and perspectives of ultrahigh-voltage SiC power devices
Kimoto T.
(Department of Electronic Science & Engineering, Kyoto University, A1 Katsura, Nishikyo, Kyoto 615-8510, Japan)
,
Yonezawa Y.
(Advanced Power Electronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba West, 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, Japan)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 78 ページ： 43-56 発行年： 2018年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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