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文献
J-GLOBAL ID：201802242217552465
整理番号：18A1777167
1kA/cm2および960V Eモードβ-Ga_2O_3垂直トランジスタにおける破壊機構【JST・京大機械翻訳】
Breakdown mechanism in 1 kA/cm2 and 960 V E-mode β-Ga2O3 vertical transistors
Hu Zongyang
(School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA)
,
Nomoto Kazuki
(School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA)
,
Li Wenshen
(School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA)
,
Zhang Zexuan
(School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA)
,
Tanen Nicholas
(Department of Materials Science and Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA)
,
Thieu Quang Tu
(Novel Crystal Technology, Inc., Sayama, Saitama 350-1328, Japan)
,
Sasaki Kohei
(Novel Crystal Technology, Inc., Sayama, Saitama 350-1328, Japan)
,
Kuramata Akito
(Novel Crystal Technology, Inc., Sayama, Saitama 350-1328, Japan)
,
Nakamura Tohru
(Center for Micro-Nano Technology, Hosei University, Koganei, Tokyo 184-0003, Japan)
,
Jena Debdeep
(School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA)
,
Xing Huili Grace
(School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 113 号： 12 ページ： 122103-122103-5 発行年： 2018年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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