文献
J-GLOBAL ID:201802242639530903
整理番号:18A1384883
ポリSi無接合薄膜トランジスタのチャネル厚みとドレインバイアスに対するサブ熱電子スイングの依存性【JST・京大機械翻訳】
Dependence of Sub-Thermionic Swing on Channel Thickness and Drain Bias of Poly-Si Junctionless Thin-Film Transistor
著者 (5件):
Ma William Cheng-Yu
(Department of Electrical Engineering, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan)
,
Wang Jia-Yi
(Department of Electrical Engineering, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan)
,
Wang Hsiao-Chun
(Department of Electrical Engineering, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan)
,
Huang Yan-Jia
(Department of Electrical Engineering, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan)
,
Yu Li-Wei
(Department of Electrical Engineering, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
39
号:
8
ページ:
1122-1125
発行年:
2018年
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)