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文献
J-GLOBAL ID：201802242858736858
整理番号：18A1941163
InGaAsSb量子井戸と共振器構造抑制による高性能連続波InPベース2.1μm超発光ダイオード【JST・京大機械翻訳】
High performance continuous-wave InP-based 2.1 μm superluminescent diode with InGaAsSb quantum well and cavity structure suppression
Wang Dongbo
(Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, P.O. Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China)
,
Zhang Jinchuan
(Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, P.O. Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China)
,
Hou Chuncai
(Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, P.O. Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China)
,
Zhao Yue
(Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, P.O. Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China)
,
Cheng Fengmin
(Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, P.O. Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China)
,
Jia Xuefeng
(Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, P.O. Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China)
,
Zhai Shenqiang
(Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, P.O. Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China)
,
Zhuo Ning
(Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, P.O. Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China)
,
Liu Junqi
(Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, P.O. Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China)
,
Liu Fengqi
(Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, P.O. Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China)
,
Wang Zhanguo
(Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, P.O. Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 113 号： 16 ページ： 161107-161107-5 発行年： 2018年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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