文献
J-GLOBAL ID:201802242870646744
整理番号:18A1697759
Cr-doped ZnSnAs2薄膜のエピタキシャル成長
著者 (7件):
佐藤海
(Nagaoka Univ. Technol., JPN)
,
篠田美幸
(Nagaoka Univ. Technol., JPN)
,
豊田英之
(Nagaoka Univ. Technol., JPN)
,
大前洸斗
(Nagaoka Univ. Technol., JPN)
,
大前洸斗
(Kushiro Coll., JPN)
,
赤堀誠志
(Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol., JPN)
,
内富直隆
(Nagaoka Univ. Technol., JPN)
資料名:
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)
(Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻:
79th
ページ:
ROMBUNNO.18p-PB1-7
発行年:
2018年09月05日
JST資料番号:
Y0055B
ISSN:
2758-4704
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)