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文献
J-GLOBAL ID:201802242870646744   整理番号:18A1697759

Cr-doped ZnSnAs2薄膜のエピタキシャル成長

著者 (7件):
佐藤海
(Nagaoka Univ. Technol., JPN)
篠田美幸
(Nagaoka Univ. Technol., JPN)
豊田英之
(Nagaoka Univ. Technol., JPN)
大前洸斗
(Nagaoka Univ. Technol., JPN)
大前洸斗
(Kushiro Coll., JPN)
赤堀誠志
(Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol., JPN)
内富直隆
(Nagaoka Univ. Technol., JPN)

資料名:
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))

巻: 79th  ページ: ROMBUNNO.18p-PB1-7  発行年: 2018年09月05日 
JST資料番号: Y0055B  ISSN: 2758-4704  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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