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文献
J-GLOBAL ID:201802242953629561   整理番号:18A0942137

Hf_0.5Zr_0.5O_2強誘電体FET不揮発性メモリ性能における中間層の重要な役割【JST・京大機械翻訳】

Critical Role of Interlayer in Hf0.5Zr0.5O2 Ferroelectric FET Nonvolatile Memory Performance
著者 (9件):
Ni Kai
(Electrical Engineering Department, University of Notre Dame, Notre Dame, IN, USA)
Sharma Pankaj
(Electrical Engineering Department, University of Notre Dame, Notre Dame, IN, USA)
Zhang Jianchi
(Electrical Engineering Department, University of Notre Dame, Notre Dame, IN, USA)
Jerry Matthew
(Electrical Engineering Department, University of Notre Dame, Notre Dame, IN, USA)
Smith Jeffery A.
(Electrical Engineering Department, University of Notre Dame, Notre Dame, IN, USA)
Tapily Kandabara
(LLC, TEL Technology Center, America, Albany, NY, USA)
Clark Robert
(LLC, TEL Technology Center, America, Albany, NY, USA)
Mahapatra Souvik
(Electrical Engineering Department, IIT Bombay, Mumbai, India)
Datta Suman
(Electrical Engineering Department, University of Notre Dame, Notre Dame, IN, USA)

資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)

巻: 65  号:ページ: 2461-2469  発行年: 2018年 
JST資料番号: C0222A  ISSN: 0018-9383  CODEN: IETDAI  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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