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文献
J-GLOBAL ID：201802242959384583
整理番号：18A1002733
高フルエンス3.5MeVおよび27MeV電子で照射したAs成長および酸素ドープ浮遊帯シリコンにおける常磁性欠陥の生成とアニーリング【JST・京大機械翻訳】
Production and annealing of the paramagnetic defects in as-grown and oxygen doped floating zone silicon irradiated with high fluence 3.5 MeV and 27 MeV electrons
Joita A.C.
(National Institute of Materials Physics, Atomistilor 405A, POB MG-7, Magurele, Ilfov 077125, Romania)
,
Joita A.C.
(University of Bucharest, Faculty of Physics, Magurele, Ilfov, Romania)
,
Nistor S.V.
(National Institute of Materials Physics, Atomistilor 405A, POB MG-7, Magurele, Ilfov 077125, Romania)
,
Nistor S.V.
(University of Bucharest, Faculty of Physics, Magurele, Ilfov, Romania)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 83 ページ： 1-11 発行年： 2018年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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