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文献
J-GLOBAL ID：201802242999719100
整理番号：18A0910938
フィールドプレート構造を用いたPt/MgxZn1-xO/ZnO Schottky障壁フォトダイオードの作製と特性評価
Fabrication and characterization of a Pt/MgxZn1-xO/ZnO Schottky barrier photodiode utilizing a field plate structure
ENDO Haruyuki
(Iwate Industrial Res. Inst., Morioka, JPN)
,
TAKAHASHI Kyo
(Iwate Industrial Res. Inst., Morioka, JPN)
,
KASHIWABA Yasube
(Iwate Univ., Morioka, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57 号： 4S ページ： 04FG08.1-04FG08.5 発行年： 2018年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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