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文献
J-GLOBAL ID：201802242999869850
整理番号：18A0129362
剥離の過程におけるβSi_3N_4/ダイヤモンド界面の原子構造とポテンシャルエネルギー:第一原理研究【Powered by NICT】
Atomic structure and potential energy of β-Si3N4/diamond interface in the process of detachment: A first-principles study
Chen Naichao
(School Energy and Mechanical Engineering, Shanghai University of Electric Power, Shanghai, 200090, China)
,
Chen Naichao
(Shanghai Key Laboratory of Materials Protection and Advanced Materials in Electric Power, Shanghai, 200090, China)
,
Chen Yingchao
(School Energy and Mechanical Engineering, Shanghai University of Electric Power, Shanghai, 200090, China)
,
Ai Jun
(School Energy and Mechanical Engineering, Shanghai University of Electric Power, Shanghai, 200090, China)
,
Li Cheng
(School Energy and Mechanical Engineering, Shanghai University of Electric Power, Shanghai, 200090, China)
,
He Ping
(School Energy and Mechanical Engineering, Shanghai University of Electric Power, Shanghai, 200090, China)
,
Ren Jianxing
(School Energy and Mechanical Engineering, Shanghai University of Electric Power, Shanghai, 200090, China)
,
Zhu Quanjun
(Global Energy Interconnection Research Institute, Beijing, 102211, China)
資料名：
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻： 434 ページ： 211-214 発行年： 2018年
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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