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文献
J-GLOBAL ID：201802243119822723
整理番号：18A2043955
酸性H2O2溶液中でのGaAsとInPのナノスケールエッチング 動力学と表面化学における顕著なコントラスト【JST・京大機械翻訳】
Nanoscale Etching of GaAs and InP in Acidic H2O2 Solution: A Striking Contrast in Kinetics and Surface Chemistry
van Dorp Dennis H.
(IMEC; Kapeldreef 75, Leuven, B-3001, Belgium)
,
Arnauts Sophia
(IMEC; Kapeldreef 75, Leuven, B-3001, Belgium)
,
Laitinen Mikko
(University of Jyvaeskylae, Department of Physics; PO Box 35 (YFL), Jyvaeskylae, 40014, Finland)
,
Sajavaara Timo
(Utrecht University, Condensed Matter and Interfaces, Debye Institute for Nanomaterials Science; Utrecht, 3584 CC, Netherlands)
,
Meersschaut Johan
(IMEC; Kapeldreef 75, Leuven, B-3001, Belgium)
,
Conard Thierry
(IMEC; Kapeldreef 75, Leuven, B-3001, Belgium)
,
Holsteyns Frank
(IMEC; Kapeldreef 75, Leuven, B-3001, Belgium)
,
Kelly John
(Utrecht University, Condensed Matter and Interfaces, Debye Institute for Nanomaterials Science; Utrecht, 3584 CC, Netherlands)
資料名：
Solid State Phenomena
(Solid State Phenomena)
巻： 282 ページ： 48-51 発行年： 2018年
JST資料番号： T0583A ISSN： 1012-0394 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： スイス (CHE) 言語： 英語 (EN)
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