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文献
J-GLOBAL ID：201802243411834667
整理番号：18A1520314
超ワイドバンドギャップAlGaN分極ドープ電界効果トランジスタ
Ultra-wide band gap AlGaN polarization-doped field effect transistor
ARMSTRONG Andrew M.
(Sandia National Lab., NM, USA)
,
KLEIN Brianna A.
(Sandia National Lab., NM, USA)
,
COLON Albert
(Sandia National Lab., NM, USA)
,
ALLERMAN Andrew A.
(Sandia National Lab., NM, USA)
,
DOUGLAS Erica A.
(Sandia National Lab., NM, USA)
,
BACA Albert G.
(Sandia National Lab., NM, USA)
,
FORTUNE Torben R.
(Sandia National Lab., NM, USA)
,
ABATE Vincent M.
(Sandia National Lab., NM, USA)
,
BAJAJ Sanyam
(Ohio State Univ., OH, USA)
,
RAJAN Siddharth
(Ohio State Univ., OH, USA)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57 号： 7 ページ： 074103.1-074103.5 発行年： 2018年07月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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