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文献
J-GLOBAL ID：201802243526380476
整理番号：18A1898535
バックバイアス効果を含むFDSOI MOSFETのための統一フリッカ雑音モデル【JST・京大機械翻訳】
A Unified Flicker Noise Model for FDSOI MOSFETs Including Back-bias Effect
Kushwaha Pragya
(Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of California, Berkeley, CA, 94720, USA)
,
Agarwal Harshit
(Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of California, Berkeley, CA, 94720, USA)
,
Dabhi Chetan Kumar
(Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Kanpur, 208016, India)
,
Lin Yen-Kai
(Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of California, Berkeley, CA, 94720, USA)
,
Duarte J-P.
(Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of California, Berkeley, CA, 94720, USA)
,
Hu Chenming
(Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of California, Berkeley, CA, 94720, USA)
,
Chauhan Yogesh Singh
(Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Kanpur, 208016, India)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018 号： CONECCT ページ： 1-5 発行年： 2018年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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