文献
J-GLOBAL ID:201802243585080680
整理番号:18A1999198
前駆体としてn-オクタンを用いた低圧化学蒸着により合成したグラフェンのキャラクタリゼーション【JST・京大機械翻訳】
Characterization of graphene synthesized by low-pressure chemical vapor deposition using N-Octane as precursor
著者 (5件):
Barbosa Andre do Nascimento
(Departamento de Fisica, Pontificia Universidade Catolica Do Rio de Janeiro, Rua Marques de Sao Vicente, 225, 22451-900, Rio de Janeiro, RJ, Brazil)
,
Figueroa N.J.S.
(Departamento de Fisica, Pontificia Universidade Catolica Do Rio de Janeiro, Rua Marques de Sao Vicente, 225, 22451-900, Rio de Janeiro, RJ, Brazil)
,
Mendoza C.D.
(Departamento de Fisica, Pontificia Universidade Catolica Do Rio de Janeiro, Rua Marques de Sao Vicente, 225, 22451-900, Rio de Janeiro, RJ, Brazil)
,
Pinto A.L.
(Centro Brasileiro de Pesquisas Fisicas, Rua Dr. Xavier Sigaud, 150, 22290-180, Rio de Janeiro, RJ, Brazil)
,
Freire F.L.
(Departamento de Fisica, Pontificia Universidade Catolica Do Rio de Janeiro, Rua Marques de Sao Vicente, 225, 22451-900, Rio de Janeiro, RJ, Brazil)
資料名:
Materials Chemistry and Physics
(Materials Chemistry and Physics)
巻:
219
ページ:
189-195
発行年:
2018年
JST資料番号:
E0934A
ISSN:
0254-0584
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)