文献
J-GLOBAL ID:201802243689497954
整理番号:18A1777812
エバネセント場に基づく散逸系における超短パルス発生のための数層ビスマス【JST・京大機械翻訳】
Few-layer bismuthene for ultrashort pulse generation in a dissipative system based on an evanescent field
著者 (7件):
Chai Tong
(Shenzhen Key Laboratory of Two-Dimensional Materials and Devices/Shenzhen Engineering Laboratory of Phosphorene and Optoelectronics, Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Science and Technology, Key Laboratory of Optoelectronic Devices and Systems of Ministry of Education and...)
,
Li Xiaohui
,
Feng Tianci
,
Guo Penglai
,
Song Yufeng
,
Chen Yunxiang
,
Zhang Han
資料名:
Nanoscale
(Nanoscale)
巻:
10
号:
37
ページ:
17617-17622
発行年:
2018年
JST資料番号:
W2323A
ISSN:
2040-3364
CODEN:
NANOHL
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)