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文献
J-GLOBAL ID：201802243789618277
整理番号：18A1513699
絶縁ポリシリコンゲートを用いたCMOSトランジスタのF_T増強【JST・京大機械翻訳】
fT Enhancement of CMOS Transistor Using Isolated Polysilicon Gates
Loo Xi Sung
(Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, 02139, USA)
,
Win Moe Z.
(Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, 02139, USA)
,
Yeo Kiat Seng
(Singapore University of Technology and Design, 487372, Singapore)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018 号： RFIC ページ： 76-79 発行年： 2018年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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