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文献
J-GLOBAL ID：201802244106975485
整理番号：18A1143267
酸素化非晶質炭素電気化学金属化デバイスにおける不揮発性および揮発性メモリ挙動【JST・京大機械翻訳】
Non-volatile and volatile memory behaviour in oxygenated amorphous carbon electrochemical metallisation devices
Murdoch B. J.
(School of Science, RMIT University, VIC 3001 Melbourne, Australia)
,
Raeber T. J.
(School of Science, RMIT University, VIC 3001 Melbourne, Australia)
,
Barlow A. J.
(Centre for Materials and Surface Science (CMSS), Department of Chemistry and Physics, La Trobe University, VIC 3086 Melbourne, Australia)
,
McCulloch D. G.
(School of Science, RMIT University, VIC 3001 Melbourne, Australia)
,
Partridge J. G.
(School of Science, RMIT University, VIC 3001 Melbourne, Australia)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 112 号： 24 ページ： 242903-242903-5 発行年： 2018年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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