文献
J-GLOBAL ID:201802244193816617
整理番号:18A1144257
低いベース広がり抵抗を持つマルチフィンガーSiC BJTにおけるオン状態特性に及ぼす指数の影響【JST・京大機械翻訳】
Impacts of Finger Numbers on ON-State Characteristics in Multifinger SiC BJTs With Low Base Spreading Resistance
著者 (3件):
Asada Satoshi
(Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan)
,
Suda Jun
(Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan)
,
Kimoto Tsunenobu
(Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
65
号:
7
ページ:
2771-2777
発行年:
2018年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)