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文献
J-GLOBAL ID：201802244452680559
整理番号：18A1488445
3段階成長プロセスの間の変動Ga濃度を通して生成したCIGS薄膜とデバイス性能【JST・京大機械翻訳】
CIGS thin film and device performance produced through a variation Ga concentration during three-stage growth process
Jseng Yi-Yen
(National Chung-Shan Institute of Science and Technology, No.481, 6th Neighborhood, Sec. Jia’an, Zhongzheng Rd., Longtan Dist., Taoyuan 32546, Taiwan, ROC)
,
Jseng Yi-Yen
(Department of Industrial and Systems Engineering, Chung Yuan Christian University, No.200, Chung Pei Rd, Chung Li, Taoyuan 32023, Taiwan, ROC)
,
Chao Chin-Jung
(Department of Industrial and Systems Engineering, Chung Yuan Christian University, No.200, Chung Pei Rd, Chung Li, Taoyuan 32023, Taiwan, ROC)
,
Sung Huan-Hsin
(GeniRay Technology Corporation, 6F-2, No. 9, Wuquan 1st Rd., Xinzhuang Dist., New Taipei City, Taiwan, ROC)
,
Chen Tien-Ching
(GeniRay Technology Corporation, 6F-2, No. 9, Wuquan 1st Rd., Xinzhuang Dist., New Taipei City, Taiwan, ROC)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 87 ページ： 162-166 発行年： 2018年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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