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文献
J-GLOBAL ID：201802244588900608
整理番号：18A1997401
STT-MRAM内での高信頼性および低電力コンピューティング-イン-メモリ実装【JST・京大機械翻訳】
A high-reliability and low-power computing-in-memory implementation within STT-MRAM
Zhang Liuyang
(Fert Beijing Institute and School of Electronic and Information Engineering, Beihang University, Beijing, 100191, China)
,
Deng Erya
(Fert Beijing Institute and School of Electronic and Information Engineering, Beihang University, Beijing, 100191, China)
,
Cai Hao
(National ASIC System Engineering Center, Southeast University, Nanjing, 210096, China)
,
Wang You
(Fert Beijing Institute and School of Electronic and Information Engineering, Beihang University, Beijing, 100191, China)
,
Torres Lionel
(LIRMM, University of Montpellier, CNRS, Montpellier, 34095, France)
,
Todri-Sanial Aida
(LIRMM, University of Montpellier, CNRS, Montpellier, 34095, France)
,
Zhang Youguang
(Fert Beijing Institute and School of Electronic and Information Engineering, Beihang University, Beijing, 100191, China)
資料名：
Microelectronics Journal
(Microelectronics Journal)
巻： 81 ページ： 69-75 発行年： 2018年
JST資料番号： A0186A ISSN： 0026-2692 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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