文献
J-GLOBAL ID:201802244609059200
整理番号:18A1317277
InGaN/GaN多重量子井戸の電子注入発光特性に及ぼす障壁層厚さの影響及び機構を調べた。【JST・京大機械翻訳】
Barrier Thickness Designing of InGaN/GaN Multiple Quantum Well for Electroluminescence
著者 (4件):
Huang Jialin
(中国農業大学応用物理系,北京,100083)
,
Yi Linkai
(中国農業大学応用物理系,北京,100083)
,
Zhou Mei
(中国農業大学応用物理系,北京,100083)
,
Zhao Degang
(中国科学院半導体研究所集成光電子学国家重点実験室,北京,100083)
資料名:
Faguang Xuebao
(Faguang Xuebao)
巻:
39
号:
2
ページ:
208-213
発行年:
2018年
JST資料番号:
W1380A
ISSN:
1000-7032
CODEN:
FAXUEW
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
中国語 (ZH)