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文献
J-GLOBAL ID：201802244609870770
整理番号：18A1028313
低温PECVDによるGaAs上の結晶シリコンの直接成長:III-V/Siタンデム電池のためのハイブリッドトンネル接合に向けて【JST・京大機械翻訳】
Direct growth of crystalline silicon on GaAs by low temperature PECVD: Towards hybrid tunnel junctions for III-V/Si tandem cells
Hamon G.
(TOTAL New Energies, 24 cours Michelet, 92069 Paris La De ́fense Cedex, France)
,
Decobert J.
(III-V lab, route de Nozay, 91460 Marcoussis, France)
,
Vaissiere N.
(LPICM, CNRS, Ecole Polytechnique, Universite ́ Paris-Saclay, 91128, Palaiseau, France)
,
Lachaume R.
(GeePs; CNRS UMR 8507; CentraleSupe ́lec; Univ Paris-Sud; Sorbonne Universite ́s-UPMC Univ Paris 06; 11 rue Joliot-Curie, Plateau de Moulon, F-91192 Gif-sur-Yvette Cedex, France)
,
Cariou R.
(LPICM, CNRS, Ecole Polytechnique, Universite ́ Paris-Saclay, 91128, Palaiseau, France)
,
Chen W.
(LPICM, CNRS, Ecole Polytechnique, Universite ́ Paris-Saclay, 91128, Palaiseau, France)
,
Alvarez J.
(GeePs; CNRS UMR 8507; CentraleSupe ́lec; Univ Paris-Sud; Sorbonne Universite ́s-UPMC Univ Paris 06; 11 rue Joliot-Curie, Plateau de Moulon, F-91192 Gif-sur-Yvette Cedex, France)
,
Habka N.
(TOTAL New Energies, 24 cours Michelet, 92069 Paris La De ́fense Cedex, France)
,
Kleider J.P.
(GeePs; CNRS UMR 8507; CentraleSupe ́lec; Univ Paris-Sud; Sorbonne Universite ́s-UPMC Univ Paris 06; 11 rue Joliot-Curie, Plateau de Moulon, F-91192 Gif-sur-Yvette Cedex, France)
,
i Cabarrocas P. Roca
(LPICM, CNRS, Ecole Polytechnique, Universite ́ Paris-Saclay, 91128, Palaiseau, France)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： PVSC ページ： 1-3 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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