前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201802244830084684
整理番号：18A0426507
内部と外部炭素源の相乗作用による6H-SiCのSi面上のグラフェンの新しい直接成長法【Powered by NICT】
A new direct growth method of graphene on Si-face of 6H-SiC by synergy of the inner and external carbon sources
Yang Zhiyuan
(State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, 250100, PR China)
,
Xu Shicai
(Shandong Provincial Key Laboratory of Biophysics, College of Physics and Electronic Information, Dezhou University, Dezhou, 253023, PR China)
,
Zhao Lili
(State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, 250100, PR China)
,
Zhang Jing
(Shandong Provincial Key Laboratory of Biophysics, College of Physics and Electronic Information, Dezhou University, Dezhou, 253023, PR China)
,
Wang Zhengping
(State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, 250100, PR China)
,
Chen Xiufang
(State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, 250100, PR China)
,
Cheng Xiufeng
(State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, 250100, PR China)
,
Yu Fapeng
(State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, 250100, PR China)
,
Zhao Xian
(State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, 250100, PR China)
資料名：
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻： 436 ページ： 511-518 発行年： 2018年
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。